当前位置：首页> 某半导体晶圆制造车间100级(ISO 5级)净化工程案例
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结合半导体晶圆制造 “光刻 / 沉积 / 蚀刻需极致控微粒，辅助环节需保障流程合规” 的特性，划分 5 大功能区，100 级核心区全程采用文档指定的 Accessflow 多孔地板与 SYSTEM SHILLING 气流架构：
功能区域 | 核心生产 / 辅助功能 | 洁净度等级 | 关键设计要点（融合文档技术细节） |
晶圆光刻区 | 8 英寸晶圆光刻图案转移（核心制程，需杜绝微粒） | 100 级（ISO 5 级） | 采用垂直单向流气流（文档中 “天花板 FFU→室内→地板多孔瓷砖” 循环），Accessflow 多孔地板覆盖率 100%（确保空气均匀下排），配备 H14 级 FFU（风机过滤单元，过滤效率≥99.995%），照明为文档提及的 “黄灯系统”（避免光刻胶受可见光曝光失效），温湿度控制精度达 22℃±0.1℃、50%±1% RH |
薄膜沉积区 | 晶圆表面沉积金属 / 介质薄膜（如 PECVD 工艺） | 100 级（ISO 5 级） | 天花板采用文档描述的 “格栅固定安装”，根据设备布局选择性安装 FFU（工艺设备上方满布 FFU，闲置区域装盲板挡空气），AHU（循环空调装置）持续输送恒温恒湿空气至天花板静压箱，维持天花板区域恒定压力（避免微粒沉降），Accessflow 地板与设备基座无缝密封（防漏风） |
蚀刻区 | 晶圆多余材料蚀刻（干法 / 湿法蚀刻） | 100 级（ISO 5 级） | 湿法蚀刻区域增设局部排风（配合 AHU 循环），避免蚀刻液挥发污染空气；天花板 FFU 与蚀刻设备出风口错位布置，确保洁净空气优先覆盖晶圆操作面，Accessflow 地板下方设负压回风腔（加速污染空气排出地下室循环） |
人员净化通道 | 人员进入洁净区的更衣、风淋、消毒 | ISO 7 级（千级） | 流程为 “换鞋→一次更衣→洗手消毒→二次更衣→风淋（30s）→缓冲间”，风淋室出风口配备中效过滤器（预处理空气），通道地面采用环氧树脂自流平（辅助 Accessflow 核心区的洁净隔离），温湿度与核心区联动控制（避免温差导致气流紊乱） |
物料传递区 | 晶圆盒（FOUP）的消毒、传递 | ISO 7 级（千级） | 设双门互锁传递窗（带紫外线消毒 + FFU 局部过滤），FOUP 进入前经等离子消毒（杀灭表面微生物），传递区与核心区之间保持 5Pa 压差（空气从 100 级核心区流向传递区），地面铺设防静电地垫（配合 Accessflow 地板的防静电功能，避免静电损伤晶圆） |
以文档提及的 “空气循环架构”“核心设备” 为基础，补充半导体制程适配设计，形成闭环净化体系：
• 空气循环与过滤系统（严格遵循文档描述）
实现 “地下室→AHU→天花板→室内→地板→地下室” 的全流程循环，关键节点匹配半导体需求：
a. 空气预处理：地下室新风经 AHU（循环空调装置）处理，先通过初效（G4）+ 中效（F8）过滤去除大颗粒，再经表冷器、加湿器精准控温湿（稳定 22℃、50% RH），确保进入天花板的空气基础参数达标；
b. 终端过滤：天花板格栅上选择性安装 H14 级 FFU（核心制程区 FFU 覆盖率≥90%），洁净空气以 0.45m/s±20% 的风速垂直下压（符合 100 级单向流要求），颗粒物被 FFU 拦截后，洁净空气覆盖晶圆表面；
c. 回风与循环：室内污染空气（含制程产生的微量粉尘）通过 Accessflow 多孔地板的细孔逸出，进入地下室回风腔，经 AHU 再次过滤、控温湿后循环使用，新风补充量仅 15%（节能且维持洁净度稳定）。
• 系统密封与气压控制（文档核心技术落地）
文档提及 “洁净室上方天花板安装系统密封，格栅固定 + 盲板 / FFU 选择性安装”，针对半导体高密封需求优化：
◦ 天花板密封：格栅采用 304 不锈钢材质，与天花板龙骨焊接固定，接缝处用硅酮密封胶（耐温、防老化）密封；盲板与格栅接触面加装 EPDM 密封垫，FFU 与格栅采用液槽密封（漏过率≤0.01%），避免未过滤空气渗入；
◦ 气压控制：100 级核心区相对于 ISO 7 级辅助区保持 + 10Pa 压差，天花板静压箱压力稳定在 50Pa（确保 FFU 出风均匀），每个区域设电子压差传感器，超标时 AHU 自动调节风量（如核心区压差低则增大 FFU 风速）。
• 专项配套系统（文档黄灯 + 行业特性结合）
◦ 黄灯照明系统：文档明确提及 “黄灯”，因晶圆光刻环节使用的光刻胶对 400-500nm 可见光敏感，黄灯（波长 550-600nm）可避免光刻胶提前曝光，核心制程区全部采用 LED 黄灯（照度≥300lux，满足操作需求且无曝光风险）；
◦ Accessflow 地板特性：该地板为多孔防静电材质（表面电阻 10^6-10^9Ω），既适配空气下排需求，又能释放晶圆搬运过程中产生的静电（避免静电吸附微粒或损伤芯片电路），地板安装时接缝处用导电胶密封（确保防静电连续性）。
• 核心施工规范
a. Accessflow 地板安装：先铺设防静电接地网，再按 “逐块定位→接缝密封→平整度检测” 流程施工，地板与墙面、设备基座的接缝做 R5mm 圆弧处理（防积尘），安装后平整度误差≤2mm/2m（避免影响空气下排均匀性）；
b. 天花板系统安装：格栅安装前先做水平校准（误差≤1mm/2m），FFU 安装后需单独做 PAO 气溶胶检漏（确保过滤效率），盲板安装后用压力传感器检测局部密封性（无气压泄漏为合格）；
c. AHU 与 FFU 联动调试：先调试 AHU 的温湿度控制精度（连续 24 小时监测，波动≤±0.1℃/±2% RH），再联动 FFU 调节风速，确保核心区气流速度稳定在 0.45m/s（用热线风速仪逐点检测）。
• 合规验收标准（结合文档与半导体行业要求）
a. 洁净度检测：用激光粒子计数器检测≥0.5μm、≥5μm 微粒浓度，100 级核心区需满足≥0.5μm≤3520 粒 /m³、≥5μm≤29 粒 /m³（符合 ISO 5 级标准），检测点覆盖 FFU 正下方、设备操作面、地板上方 1m 处；
b. 系统密封检测：对天花板 FFU / 盲板、Accessflow 地板接缝做 PAO 检漏，漏过率≤0.01%；对 AHU 风管、回风腔做漏风测试，漏风率≤2%；
c. 制程适配验证：模拟晶圆光刻制程，连续 72 小时监测核心区温湿度波动、微粒浓度，同步记录晶圆良率（验证洁净度对良率的提升效果）。
• 洁净度稳定性：投用后连续 12 个月监测，100 级核心区≥0.5μm 微粒浓度稳定在 1200-3200 粒 /m³，温湿度波动≤±0.1℃/±1% RH，无一次洁净度超标；
• 制程良率提升：客户 8 英寸晶圆光刻环节的缺陷率从改造前的 15 个 / 片降至 5 个 / 片以下，整体芯片制造良率从 85% 提升至 92.3%；
• 能耗优化：因采用 AHU 循环风 + FFU 分区控制，车间能耗较传统全新风系统降低 28%，Accessflow 地板的防静电设计使静电损伤事故发生率降为 0。
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